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MAX19997A
Dual, SiGe High-Linearity, 1800MHz to 2900MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer
Typical Operating Characteristics (continued)
(Typical Application Circuit, extended RF band (see Table 2), V CC = 5.0V, LO is high-side injected for a 350MHz IF, P LO = 0dBm,
P RF = -5dBm, T C = +25°C, unless otherwise noted.)
60
55
50
45
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
(LO > RF, EXTENDED RF BAND)
60
55
50
45
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
(LO > RF, EXTENDED RF BAND)
60
55
50
45
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
(LO > RF, EXTENDED RF BAND)
40
T C = -30 ° C, +25 ° C, +85 ° C
40
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
40
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
35
30
35
30
35
30
1800
1900
2000
2100
2200
2300
1800
1900
2000
2100
2200
2300
1800
1900
2000
2100
2200
2300
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT vs. LO FREQUENCY
(LO > RF, EXTENDED RF BAND)
0
-10
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT vs. LO FREQUENCY
(LO > RF, EXTENDED RF BAND)
0
-10
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT vs. LO FREQUENCY
(LO > RF, EXTENDED RF BAND)
0
-10
-20
T C = -30 ° C, +25 ° C, +85 ° C
-20
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
-20
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
-30
-30
-30
2150
2250
2350
2450
2550
2650
2150
2250
2350
2450
2550
2650
2150
2250
2350
2450
2550
2650
30
20
10
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
(LO > RF, EXTENDED RF BAND)
T C = +85 ° C
T C = +25 ° C
T C = -30 ° C
30
20
10
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
(LO > RF, EXTENDED RF BAND)
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
30
20
10
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
(LO > RF, EXTENDED RF BAND)
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
1800
1900
2000
2100
2200
2300
1800
1900
2000
2100
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2300
1800
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2000
2100
2200
2300
16
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
Maxim Integrated
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